硅鉬棒的主要成分為硅化鉬，空氣中它從400℃擺布開始發作明顯的氧化，生成氧化鉬和二氧化硅，并隨同必定的體積脹大，由此還會加快硅化鉬的氧化；該氧化層的脹大系數和初始層不一樣，溫度繼續升高，有些氧化層會掉落，又開始進一步氧化硅化鉬。因而，繼續燒低溫對硅鉬棒損傷特別大。硅鉬棒前幾次運用時盡量燒1400℃以上，氧化構成的二氧化硅能夠在硅鉬棒外表構成良好的釉層，它能夠大大降低或阻止硅鉬棒的氧化。

　　硅鉬棒在較低溫度下易被氧化，因而不能在低溫區常時刻運用；在高溫下到達氧化與分化平衡，所以能夠延長運用壽命；但畢竟它僅僅耗材，長時刻運用仍然會損耗。主要的損耗還不是在硅鉬棒自身變細，而在：（1）意外觸碰斷損；（2）接觸電阻大時起弧放電（氧化）。

　　6.硅鉬棒的電器性質是電阻值隨溫度的升高而升高，所以硅鉬棒在低溫下電阻非常小，此時通過的電流就非常大，因此硅鉬棒爐在250℃以下需要進行限流；

　　所以并不是你所說的必須到達0度以上；當然初度運用溫度應該在0度以上以燒出保護層。

　　硅鉬棒是運用在工業電爐上經過高溫發熱傳導給物體，到達其作用。電爐的高溫保溫替代了煤窯，而電熱元件硅鉬棒則代替了煤燃料，運用溫度高，具有耐高溫、抗氧化、耐腐蝕、升溫快、裝置維修便利等特色，且有良好的化學穩定性。與主動化電控體系套，可得到準確的穩定溫度，又可依據生產工藝的需要按曲線主動調溫。運用硅碳棒加熱既便利，高溫爐又可靠。在操作過程中發現發熱體損壞應首要斷定位置，一同準備好組合元件，然后將損壞的元件夾頭導線與母線銜接的螺絲松開，整理開陶瓷棉，連通孔塞磚一同將新組合元件從爐頂刺進，銜接好導線，堵好陶瓷棉即可升溫，硅鉬棒也不要直接與金屬液體觸摸。硅鉬棒裝上爐子用過一段時間后，硅鉬棒和導線銜接的位置簡單發生松動，這時要把此處加以緊固，要不簡單打火把硅鉬棒擊壞。勿須用金屬片

　　硅碳棒電熱元件的主要用途.電阻加熱方式的工業窯爐中所使用的電熱材料，有電阻合金(如鎳鉻合金、鐵銘鋁

　　硅碳棒有杰出的化學穩定性，抗酸能力強。在高溫條件下堿性物質對其有侵蝕作用。

　　硅碳棒是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料，按料比加工制坯，經2200℃高溫硅化再結晶燒結而制成的棒狀、管狀非金屬高溫電熱元件。

　　按功用形狀可分為：直棒、多發熱段直棒、U形棒、W形棒、單雙螺紋棒、槽形棒、形棒、門形棒等類型。通常爐膛小

　　穿硅碳棒的爐子的內徑應是冷端部外徑的1.3～1.6倍，爐孔過小或孔內填充物塞得過緊，高溫時會阻止硅碳棒自在彈性而導致斷棒。裝置時，應該使硅碳棒可以自在滾動360度。避免硅碳棒濺上熔融金屬，濺上熔融金屬簡單導致斷棒。硅碳棒如何會發熱

　　通常認為傳熱可以有三種不同的基本方式:熱傳導，熱對流和熱輻射。熱傳導簡稱導熱，是指溫度不同的各部分物質僅僅由于直接接觸、沒有相對宏觀運動時所發生的能量傳遞現象。熱對流是指流體溫度不同的各部分相互混合的宏觀運動引起的熱量傳遞現象。相對運動著的流體與所接觸的固體壁面之間的能量交換過程，一一般稱為對流換熱。熱輻射是指物質對外發射0.1~100微米的熱射線在空間傳遞能量的現象。但在沒有空氣夾層或者氣隙的不透明固體中， 不會發生輻射傳熱。

　　碳化硅電熱元件是多孔的，這是由于制造工藝所決定的。它的大部分氣孔是彼此連通的，一部分為封閉物氣孔。氣孔率有著比較重要的實際意義，電熱元件的機械強度、抗氧化性及導熱性等都跟氣孔率的大小有關。由于采用各種不同的組分和不同的制造方法，管式爐元件的氣孔率波動范圍很大。

　　硅碳棒電熱元件的燒成是大電流通過石墨質爐芯產生高溫，使爐芯周圍的碳質原料和硅質原料發生碳熱還原反應生成碳化硅。在燒成爐內，反應物料顆粒是直接接觸的，與爐芯距離不同的物料的溫度高低不同，這兩點滿足熱傳導的條件，所以熱傳導是合成爐內的一種傳熱方式。 SiC3HO一Si0C031l12在生成碳化硅的過程中，有大量的氣態物質生成。這些氣態物質中有化學反應生成CO、Si、 sio 氣體，還有高溫作用下揮發出來的氣態物質，如SiO2、石油焦碳中的揮發份等。這些氣態物質的溫度都很高，隨著爐內氣態物質壓力的增大，高溫的氣態物質就開始向爐外擴散。當高溫的氣態物質運動到遠離爐芯的低溫區域時，它們和低溫的反應物料的顆粒壁面間就會發生對流換熱。因此，對流換熱是燒成爐內存在的另外一種傳熱方式。硅鉬棒SiC 的生成反應是在高溫下完成的，高溫物體通常會發射出大量的熱射線。在燒成爐內，爐芯、SiC結晶分解后產生的石墨、SiC結晶和部分物料溫度都在1600C以上，SiC結晶分解后產生的石墨和siC結晶